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产品介绍

SJ MOSFET SGT MOSFET SiC MOSFET SiC Diode IGBT IGBT Module Wafer

1

Wafer

基于国际先进的超结和碳化硅芯片技术，必一运动bsport体育半导体已研发超结MOSFET、SiC肖特基二极管和SiC MOSFET芯裸芯片和晶圆。

SJ MOSFET

VDS
反向峰值电压

ID
连续漏电流

Vth
开启电压

芯片面积
(μm*μm)

晶圆尺寸
(inch)

满版点数

包装

样品申请

Data Sheet
650V

950V

BMO95N180UE1Z

950V

36A

4V

7707*4607

8

742

铝箔真空

BMO65N380E2

650V

11A

3V

3383*2501

8

3140

铝箔真空

BMO65N360E2

650V

11A

3V

3383*2507

8

3140

铝箔真空

BMO65N340E2

650V

12A

3V

3383*2501

8

3140

铝箔真空

SiC Diode

VRRM

IF

VF typ

芯片面积
(μm*μm)

晶圆尺寸
(inch)

满版点数

包装

样品申请

Data Sheet
1200V

15A

20A

40A

100A

BCO120S015D1

1200V

15A

1.39V

2630*2630

6

2022

铝箔真空

BCO120S020D1

1200V

20A

1.39V

3002*3002

6

1549

铝箔真空

BCO120S040D1

1200V

40A

1.39V

4148*4148

6

840

铝箔真空

BCO120S100D2

1200V

100A

1.65V

6228*6228

6

389

铝箔真空

SiC MOSFET

VDS max

RDS(on) max

ID @25℃ max

芯片面积
(μm*μm)

晶圆尺寸
(inch)

满版点数

包装

样品申请

Data Sheet
1200V

21mΩ

40mΩ

80mΩ

125mΩ

BCO120N125W1

1200V

125mΩ

16A

2280*2080

6

/

铝箔真空

BCO120N80M1

1200V

80mΩ

30A

2883*2329

6

2134

铝箔真空

BCO120N40M1

1200V

40mΩ

60A

3913*3313

6

1150

铝箔真空

BCO120N21M1

1200V

21mΩ

100A

5401*4393

6

602

铝箔真空

上海（研发/应用/销售中心）

地址：长宁区协和路789号中山国际广场B座605室

邮箱：inquiry@bestirpower.com
电话：17321390308
深圳（应用/销售中心）

地址：龙岗区坂田街道天安云谷一期3栋C座1905室
重庆（应用/销售中心）
西安（应用/销售中心）

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宁波工厂（制造中心/销售中心）

地址：慈溪高新技术产业开发区新兴一路1号
武汉（应用销售中心）

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